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SBR30A100CTE

更新时间： 2024-09-26 19:56:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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SBR30A100CTE 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-262AA
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.79应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.67 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBR30A100CTE 数据手册

 浏览型号SBR30A100CTE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBR30A100CTE的Datasheet PDF文件第3页 
SBR30A100CTE  
30A SBR®  
SUPER BARRIER RECTIFIER  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
Low Forward Voltage Drop  
Excellent High Temperature Stability  
Patented Super Barrier Rectifier Technology  
Soft, Fast Switching Capability  
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 2)  
Also Available in Green Molding Compound (Note 4)  
•
•
Case: TO-262  
Case Material: Molded Plastic, UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
Terminals: Matte Tin Finish annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 2  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 1.355 grams (approximate)  
•
•
•
•
Maximum Ratings (Per Leg) @TA = 25°C unless otherwise specified  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitance load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
VRRM  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
100  
V
VRWM  
VRM  
RMS Reverse Voltage  
Average Rectified Output Current Per Device  
71  
15  
30  
V
A
VR(RMS)  
(Per Leg)  
(Total)  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load  
250  
A
IFSM  
Thermal Characteristics (Per Leg)  
Characteristic  
Maximum Thermal Resistance  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3
14  
ºC/W  
Rθ  
JC  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +175  
ºC  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics (Per Leg) @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Forward Voltage Drop  
Leakage Current (Note 1)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
IF = 15A, TJ = 25ºC  
IF = 15A, TJ = 125ºC  
VR = 100V, TJ = 25ºC  
VR = 100V, TJ = 125ºC  
-
0.80  
0.67  
-
V
VF  
0.63  
0.1  
10  
-
-
mA  
IR  
Notes:  
1. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
2. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied. Please visit our website at http://www.diodes.com/quality/lead_free.html.  
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.  
SBR30A100CTE  
1 of 3  
www.diodes.com  
July 2009  
© Diodes Incorporated  
Document number: DS31872 Rev. 1 - 2  
123

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SBR30A100CTE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SBR30A100CTE-G DIODES

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, GREEN, PLASTIC,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBR30A100CTE-G DIODES

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, GREEN, PLASTIC,
SBR30A100CTFP DIODES

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 		30A SBR Super Barrier Rectifier
SBR30A100CTFP-G DIODES

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 		暂无描述
SBR30A100CTFP-JT-G DIODES

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