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SBL20A100F

更新时间： 2024-09-30 12:14:47
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SECOS /
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2页 164K
描述
Voltage 100V 20.0Amp Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifer

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SBL20A100F 数据手册

 浏览型号SBL20A100F的Datasheet PDF文件第2页 
SBL20A100F  
Voltage 100V 20.0 Amp  
Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifier  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen free  
ITO-220  
FEATURES  
B
N
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Planar MOS Schottky technology  
Low forward voltage drop  
Low reverse current  
High current capability  
High reliability  
D
E
M
J
A
C
High surge current capability  
Epitaxial construction  
H
L
MECHANICAL DATA  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: Molded plastic  
Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant  
Lead: Lead solderable per MIL-STD-202  
method 208 guaranteed  
K
L
G
F
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: As Marked  
Mounting position: Any  
Weight: 1.98 g (Approximate)  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
14.60  
Max.  
15.70  
10.50  
14.00  
4.70  
3.2  
Min.  
2.70  
0.90  
0.50  
2.34  
2.40  
φ 3.0  
Max.  
4.00  
1.50  
0.90  
2.74  
3.00  
φ 3.4  
A
B
C
D
E
F
H
J
K
L
M
N
9.50  
12.60  
4.30  
2.30  
2.30  
0.30  
1
3
2
2.90  
0.75  
G
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise s pecified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, de-rate current by 20%.)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
VRRM  
VRSM  
VDC  
100  
100  
100  
10  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current  
(Per Leg)  
A
IF  
20  
(Per Device)  
IFSM  
120  
A
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave  
Voltage Rate of Chance (Rated VR)  
dv/dt  
10000  
4
V / µs  
°C /W  
°C  
Typical Thermal Resistance  
Rθ  
JC  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-40~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Typ.  
Max.  
0.64  
0.74  
0.84  
-
Unit  
Test Condition  
IF = 3A, TJ = 25°C  
0.57  
0.69  
0.79  
0.7  
-
IF = 5A, TJ = 25°C  
IF = 10 A, TJ = 25°C  
IF = 10 A, TJ = 125°C  
TJ=25°C  
Maximum Instantaneous Forward  
Voltage  
VF  
V
0.2  
10  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage 2  
Typical Junction Capacitance 1  
IR  
mA  
pF  
-
TJ=100°C  
CJ  
160  
-
NOTES:  
1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 5.0V D.C.  
2. Pulse Test：Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≦ 2.0%.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
30-May-2013 Rev. A  
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