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SBH3045 PDF预览

SBH3045

更新时间： 2024-02-29 11:53:18
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 126K
描述
High temperature schottky barrier diodes

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SBH3045 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：700 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

SBH3045 数据手册

 浏览型号SBH3045的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBH3045的Datasheet PDF文件第3页 
SBH 3020 ... SBH 3060  
Type  
Repetitive Surge peak  
Max.  
Max.  
Max.  
peak  
reverse  
voltage  
reverse  
recovery  
time  
forward  
voltage  
forward  
voltage  
reverse  
voltage  
1)  
2)  
3)  
VRRM  
V
VRSM  
V
trr  
VF  
VF  
ns  
V
V
SBH 3020  
20  
30  
40  
45  
50  
60  
20  
30  
40  
45  
50  
60  
-
-
-
-
-
-
0,43  
0,43  
0,43  
0,43  
0,53  
0,53  
0,6  
0,6  
0,6  
0,6  
0,7  
0,7  
SBH 3030  
SBH 3040  
SBH 3045  
SBH 3050  
SBH 3060  
Axial Lead Diode  
High temperature schottky  
barrier diodes  
Absolute Maximum Ratings  
Forward Current: 30 A  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Ta = 25 °C, unless otherwise specified  
Reverse Voltage: 20 to 60 V  
SBH 3020 ... SBH 3060  
Preliminary Data  
R-load, 4), Ta = 50 °C  
f > 15 Hz, 4)  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
30  
90  
A
A
tp = 10 ms  
700  
A
half sinus-wave  
Ta = 25 °C  
tp = 8.3 ms  
tp = 10 ms  
tp = 8.3 ms  
A
Features  
• Max. solder temperature: 260°C  
• Plastic material has UL  
classification 94V-0  
i2t  
2450  
A²s  
A²s  
°C  
°C  
°C  
Ta = 25 °C  
Tj  
Tj  
Tstg  
Operating junction temperature  
DC forward (bypass) mode 5)  
Storage temperature  
-50 ... +175  
-50 ... +200  
-50 ... +175  
Typical Applications*  
• Designed as Bypass Diodes for Solar  
Panels  
• Protection application  
Characteristics  
Mechanical Data  
Symbol Conditions  
Ta = 25 °C, unless otherwise specified  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
• Plastic case: 8 x 7,5 [mm]  
• Weight approx.: 2,4 g  
IR  
IR  
Tj = 25 °C, VR = VRRM  
Tj = 100 °C, VR = VRRM  
150  
µA  
mA  
• Terminals: plated terminals solderable  
per MIL-STD-750  
• Mounting position: any  
at 1 MHz and applied reverse voltage  
of 4 V  
Cj  
-
-
pF  
• Standard packaging: 500 pieces per  
ammo or 1000 pieces per reel  
L = 60 mH, Tj = 25 °C, inductive load  
ERSM  
mJ  
switched off  
4)  
Rth(j-a)  
Rth(j-L)  
-
K/W  
K/W  
Footnotes  
6)  
2.5  
1) IF = - A, IR = - A, IRR = - A  
2) IF = 5 A, Tj = 25 °C  
3) IF = 30 A, Tj = 25 °C  
4) Valid, if leads are kept at TA at a distance  
of 0 mm from case  
5) Max. junction temperature Tj ≤175 °C in  
reverse mode (VR = 80% VRRM) in reverse  
mode, Tj≤ 200 °C in bypass mode  
6) Thermal resistance from junction to lead/  
terminal at distance 0 mm from case  
Diode  
© by SEMIKRON  
Rev. 2 – 06.05.2011  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBH3045TL SEMIKRON

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 		High temperature schottky barrier diodes
SBH3050 SEMIKRON

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