SB620

更新时间： 2024-02-24 14:16:40

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6.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB620 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220A, 2 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.65
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	75 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

SB620 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB620 – SB660

6.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring for Transient Protection

Low Forward Voltage Drop

Low Reverse Leakage Current

High Surge Current Capability

Plastic Material has UL Flammability

Classification 94V-O

TO-220A

Dim

Min

13.90

9.80

2.54

3.56

12.70

0.51

3.55 Ø

5.75

4.16

2.03

0.30

1.14

4.83

Max

15.90

10.70

3.43

PIN1

4.56

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ D

14.73

0.96

4.09 Ø

6.85

Mechanical Data

Case: TO-220A, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: See Diagram

Weight: 2.24 grams (approx.)

5.00

2.92

0.65

1.40

5.33

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

PIN 1 +

PIN 3 -

Case

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

SB620

SB630

SB640

SB650

SB660

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current

@T_C= 75°C

6.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage

@I_F= 6.0A

V^FM

I^RM

0.55

0.70

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.2

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

C^j

400

°C/W

°C

R^ꢀ^JA

Operating and Storage Temperature Range

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2. Thermal resistance junction to ambient mounted on heatsink.

SB620 – SB660

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