SB580EA-G

更新时间： 2024-01-02 20:18:01

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ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers

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SB580EA-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.85 V	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向电流：	500 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SB580EA-G 数据手册

ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers

Comchip

S M D D i o d e S p e c i a l i s t

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (SB520E-G Thru. SB5100E-G)

Fig.1 Forward Current Derating Curve

Fig.2 Maximum Non-repetitive Peak

Forward Surge Current

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

200

TL=110°C

8.3mS single half sine-wave

(JEDEC Method)

150

100

SB520E-G ~ SB545E-G

SB550E-G ~ SB5100E-G

1.0

SB550E-G ~ SB5100E-G

single phase half wave 60Hz

resistive or inductive load

3.75”(9.5mm) lead length

100

125

150

175

Lead Temperature ( ^OC)

Number of Cycles at 60Hz

Fig.3 Typical Instantaneous Forward

Characteristics

Fig.4A Typical Reverse Characteristics

SB520E-G ~ SB545E-G

100

TJ=125°C

SB580E-G ~ SB5100E-G

SB550E-G ~ SB560E-G

1.0

0.1

TJ=100°C

0.1

0.01

TJ=25°C

SB520E-G ~ SB545E-G

0.001

0.01

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6

Instantaneous Forward Voltage (V)

100

120

140

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Fig.5 Typical Junction Capacitance per leg

Fig.4B Typeical Reverse Characteristic

10⁵

10⁴

10,000

SB550E-G ~ SB5100E-G

TJ=150°C

TJ=125°C

10³

10²

1,000

TJ=75°C

10¹

TJ=25°C

f=1.0MHz

TJ=25°C

80 100

Vsig=50mVp-p

100

0.1

1.0

100

Reverse Voltage (V)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage ( %)

REV:A

Page 2

QW-BB043

Comchip Technology CO., LTD.

123

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