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SB580-TB

更新时间： 2024-01-02 06:06:06
品牌 Logo 应用领域
WTE 整流二极管肖特基二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
5.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SB580-TB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：80 V最大反向电流：500 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SB580-TB 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
Pb  
SB520 – SB5100  
5.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
!
!
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
!
!
!
!
High Current Capability  
A
B
A
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
C
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ D  
Mechanical Data  
DO-201AD  
Dim  
A
Min  
25.4  
7.20  
1.20  
4.80  
Max  
!
!
Case: DO-201AD, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 1.2 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
—
B
9.50  
1.30  
5.30  
C
!
!
!
!
!
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol SB520 SB530 SB540 SB550 SB560 SB580 SB5100 Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
50  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
35  
V
A
Average Rectified Output Current @TL = 100°C  
(Note 1)  
5.0  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
150  
A
Forward Voltage  
@IF = 5.0A  
VFM  
IRM  
0.55  
500  
0.70  
0.85  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
0.5  
50  
mA  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Cj  
400  
pF  
°C/W  
°C  
RꢀJA  
10  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
SB520 – SB5100  
1 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  
1234

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