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SB550-E3/73

更新时间： 2024-09-25 15:50:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 75K
描述
DIODE 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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SB550-E3/73 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.34
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：220 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

SB550-E3/73 数据手册

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SB520 thru SB560  
Vishay General Semiconductor  
Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Extremely fast switching  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
DO-201AD  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
5.0 A  
VRRM  
IFSM  
20 V to 60 V  
220 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
VF  
0.48 V, 0.65 V  
150 °C  
TJ max.  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SB520  
SB530  
30  
SB540  
40  
SB550  
50  
SB560  
60  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
20  
V
V
V
VRMS  
14  
21  
28  
35  
42  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
20  
30  
40  
50  
60  
Maximum average forward rectified current  
at 0.375" (9.5 mm) lead length (fig. 1)  
IF(AV)  
IFSM  
5.0  
A
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
220  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
- 65 to + 150  
- 65 to + 150  
°C  
°C  
TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL  
SB520  
SB530  
SB540  
SB550  
SB560  
UNIT  
Maximum instantaneous  
forward voltage  
(1)  
5.0 A  
VF  
0.48  
0.65  
25  
V
Maximum instantaneous  
reverse current at rated  
DC blocking voltage  
TA = 25 °C  
0.5  
(1)  
IR  
mA  
TA = 100 °C  
50  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Document Number: 88721  
Revision: 19-Oct-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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