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SB30W03T

更新时间： 2024-09-24 22:08:31
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 85K
描述
30V, 3A Rectifier

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SB30W03T 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.5
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3最大非重复峰值正向电流：20 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：200 µA
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

SB30W03T 数据手册

 浏览型号SB30W03T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SB30W03T的Datasheet PDF文件第3页 
Ordering number:EN4445  
SB30W03T  
Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathod Common)  
30V, 3A Rectifier  
Applications  
Package Dimensions  
unit:mm  
· High frequency rectification (switching regulators,  
converters, choppers).  
1254A  
[SB30W03T]  
Features  
· Low forward voltage (V max=0.55V).  
F
· Fast reverse recovery time (trr max=30ns).  
· Low switching noise.  
· Low leakage current and high reliability due to  
highly reliable planar structure.  
1:Anode  
2:Cathode  
3:Anode  
4:Cathode  
trr Test Circuit  
SANYO:TP  
unit:mm  
1257A  
[SB30W03T]  
Electrical Connection  
1:Anode  
2:Cathode  
3:Anode  
4:Cathode  
SANYO:TP-FA  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C (Value per element)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage  
Average Output Current  
V
30  
35  
3
V
V
A
A
A
RRM  
V
RSM  
50Hz resistive load, Tc=106˚C  
I
O
50Hz resistive load, Tc=104˚C, Total rating  
I
6
O
Surge Forward Current  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
50Hz sine wave, 1 cycle  
20  
FSM  
Tj  
–55 to +125  
–55 to +125  
˚C  
˚C  
Tstg  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C (Value per element)  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditons  
Unit  
min  
30  
max  
Reverse Voltage  
V
I
=1mA  
R
V
V
R
Forward Voltage  
V
I =3A  
0.55  
F
F
Reverse Current  
I
V
V
=15V  
200  
µA  
R
C
R
Interterminal Capacitance  
Reverse Recovery Time  
Thermal Resistance (Junction-Ambient)  
Thermal Resistance (Junction-Case)  
=10V, f=1MHz  
160  
pF  
R
trr  
I =I =300mA, See specified Test Circuit.  
30  
ns  
F
R
Rth(j-a)  
Rth(j-c)  
90  
5
˚C/W  
˚C/W  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
41098HA (KT)/42094YH (KOTO) AX-8339 No.4445-1/3  
123

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与SB30W03T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB30W03T(TP) ONSEMI

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 		RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,SCHOTTKY,30V V(RRM),TO-251VAR
SB30W03T(TP-FA) ONSEMI

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 		RECTIFIER DIODES,COMMON CATHODE,SCHOTTKY,30V V(RRM),TO-252VAR
SB30W03TTP ONSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, TP, 4 PIN
SB30W03TTP-FA ONSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, TP-FA, 4 PIN
SB30W03V SANYO

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SB30W03Z SANYO

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SB31 SURGE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon,
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 		Single Phase 3.0 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers
SB310 GULFSEMI

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE: 100V CURRENT: 3.0A
SB310 GXELECTRONICS

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 		Single Phase 3.0 AMPS. Silicon Brid ge Rectifiers

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