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SB160

更新时间： 2024-09-30 22:43:31
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美台 - DIODES 整流二极管
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3页 75K
描述
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB160 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.1
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE, HIGH SURGE CAPABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SB160 数据手册

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SB120 - SB160  
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
A
B
A
·
·
Surge Overload Rating to 40A Peak  
C
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
D
·
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
DO-41 Plastic  
Min  
Dim  
A
Max  
¾
Mechanical Data  
25.40  
4.06  
B
5.21  
0.864  
2.72  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
C
0.71  
D
2.00  
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.3 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB120  
20  
SB130  
30  
SB140  
SB150  
50  
SB160  
60  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
40  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
14  
21  
28  
35  
42  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
1.0  
(See Figure 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
IRM  
40  
A
Forward Voltage (Note 2)  
@ IF = 1.0A  
0.50  
10  
0.70  
5.0  
V
0.5  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 2)  
@ TA = 25°C  
@ TA = 100°C  
mA  
RqJL  
RqJA  
Tj  
Typical Thermal Resistance Junction to Lead (Note 1)  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating Temperature Range  
15  
50  
°C/W  
°C/W  
-65 to +125  
-65 to +150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS23022 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
SB120-SB160  
www.diodes.com  
123

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与SB160相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB160.TR FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-41
SB160_15 UTC

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB160-05H SANYO

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 		50V, 16A Rectifier
SB160-05R SANYO

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SB160-09 SANYO

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SB160-18 SANYO

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SB160-40HT SWST

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 		肖特基二极管
SB16-04LHP SANYO

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 		Rectifier
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 		SMD POWER INDUCTOR

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