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SB1245

更新时间： 2024-09-29 06:10:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
Ultra Low VF Schottky Barrier Rectifier

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SB1245 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-201
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.5
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最大输出电流：12 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SB1245 数据手册

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September 2009  
SB1245  
Ultra Low VF Schottky Barrier Rectifier  
This device is designed for low voltage, high frequency inverters,  
free-wheeling and polarity protection applications.  
This is also designed as bypass diode for solar modules.  
Features  
• UL Flammability Classification 94V-O  
• Environment Standards MIL-S-19500/228 Compliant  
• Low Power Loss, High Efficiency  
• High Surge Capacity  
DO-201AD  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
• Pb-free, RoHS Compliant  
Absolute Maximum Ratings * TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Parameter  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Value  
45  
Units  
V
V
V
A
31  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
45  
IF(AV)  
IFSM  
12  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half-Sine-Wave  
150  
A
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)  
VF  
IR  
Maximum Forward Voltage at IF=12A  
0.55  
V
mA  
A2sec  
°C  
Maximum DC Reverse Current at Rated VDC  
TJ=25°C  
TJ=100°C  
0.1  
10  
I2t  
TJ  
Rating for Fusing ( t<8.3ms )  
3.7  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to +150  
-55 to +200  
In DC Forward Mode  
TSTG  
Storage Temperature Range  
-55 to +175  
°C  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RθJC  
Parameter  
Value  
10  
Units  
°C/W  
°C/W  
Typical Thermal Resistance, Junction to Case  
Typical Thermal Resistance, Junction to Lead  
RθJL  
2.0  
© 2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
SB1245 Rev. A1  
www.fairchildsemi.com  
1
1234

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SB1245 替代型号

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