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SB1280

更新时间： 2024-09-29 12:26:39
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乐山 - LRC /
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7页 162K
描述
Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 35 to 100V Forward Current 12A

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SB1280 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.7其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：175 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：12 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：80 V
最大反向电流：200 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

SB1280 数据手册

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SB1220 thru SB12100  
Schottky Barrier Rectifiers  
Reverse Voltage 35 to 100V Forward Current 12A  
Feature & Dimensions  
* Plastic package has underwriters laboratory  
Flammability classification 94V-0  
* Low power loss,high efficiency  
* For use in low voltage high frequency inverters,  
free wheeling,and polarity protection applications  
* Guarding for over voltage protection  
* High temperature soldering guaranteed:  
260°C/10 seconds at terminals  
Mechanical Data  
Case  
: JEDEC R-6, molded plastic over sky die  
Terminals : Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity  
Weight  
: Color band denotes cathode end  
: 0.042oz., 1.19 g  
We declare that the material of product compliance  
with ROHS requirements  
Mounting position : Any  
Handling precautin : None  
1.Maximum & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter symbol  
Unit  
Symbol SB1235 SB1245 SB1250 SB1260 SB1280 SB12100  
Device marking code  
SB1235 SB1245 SB1250 SB1260 SB1280 SB12100  
VRRM  
VRSM  
VDC  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RSM voltage  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
80  
80  
80  
100  
100  
100  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5mm) lead length (See fig. 1)  
12.0  
A
A
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
IFSM1  
175  
40  
Thermal resistance, junction to ambient  
Operating temperature range  
storage temperature range  
°C/W  
°C  
RθJA  
–55 to +150  
–55 to +175  
TJ  
TSTG  
°C  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter symbol  
Symbol  
SB1235 SB1245 SB1250 SB1260 SB1280 SB12100  
Unit  
V
0.55  
0.90  
Maximum instantaneous forward voltage at 12.0A  
VF  
Ir  
0.60  
200  
1000  
0.70  
uA  
uA  
PF  
Maximum DC reverse current  
Maximum DC reverse current  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
Ir  
500  
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz  
CJ  
380  
Notes:  
1. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB1280-AP MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 80V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS CO
SB1280-AP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 80V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SB1280-BP MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 80V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS CO
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