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SB1240-3G PDF预览

SB1240-3G

更新时间： 2024-09-30 01:20:07
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC IOT二极管
页数 文件大小 规格书
2页 152K
描述
Schottky Barrier Rectifier Diodes

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SB1240-3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：4.79
二极管类型：RECTIFIER DIODE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SB1240-3G 数据手册

 浏览型号SB1240-3G的Datasheet PDF文件第2页 
SB1240-3G  
SB1240-3G  
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation  
Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation  
IFAV = 12 A  
VF@5A < 0.45 V  
Tjmax = 150°C  
VRRM = 40 V  
IFSM = 280/320 A  
VF125 ~ 0.30 V @ 5 A  
Version 2018-09-28  
Typical Applications  
Solar Bypass Diodes, Polarity  
Protection, Free-wheeling diodes,  
Output Rectification  
Typische Anwendungen  
Solar-Bypassdioden,  
Verpolschutz, Freilaufdioden,  
Ausgangsgleichrichtung  
Standardausführung 1)  
~ DO-201  
Commercial grade 1)  
Features  
Besonderheiten  
Niedrigerer Sperrstrom und  
kleineres Gehäuse als SB1240  
Optimaler Kompromiss  
Ø 4.5+0.1  
-0.3  
Lower reverse leakage and  
smaller package than SB1240  
Best trade-off  
2
2
between VF and IR )  
zwischen VF und IR )  
Halogen  
FREE  
Small package outline  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Kleine Gehäusebauform  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
S
E
V
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Ø 1.2±0.05  
Taped in ammo pack  
1250  
Gegurtet in Ammo-Pack  
On request: on 13” reel  
Auf Anfrage: auf 13” Rolle  
Weight approx.  
1 g  
Gewicht ca.  
Gehäusematerial  
Dimensions - Maße [mm]  
Case material  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL N/A  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Maximum ratings 3)  
Grenzwerte 3)  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
SB1240-3G  
40  
40  
Max. average forward rectified current  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung  
TA = 50°C  
IFAV  
IFSM  
Tj  
12 A 4)  
Peak forward surge current  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
50 Hz (10 ms)  
Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms)  
280 A  
320 A  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
-50...+150°C  
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
≤ 200°C 2,5  
)
Storage temperature  
Lagerungstemperatur  
TS  
-50...+175°C  
1
2
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”  
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”  
3
4
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test  
5
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
 
 
12

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与SB1240-3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB1240-3G_18 DIOTEC

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