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SA64

更新时间: 2024-01-20 13:46:34
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扬杰 - YANGJIE 二极管数据判读及分析中心
页数 文件大小 规格书
4页 58K
描述
SILICON BIDIRECTIONAL DIACS

SA64 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.28
最大击穿电压:86.9 V最小击穿电压:71.1 V
击穿电压标称值:79 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:114 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:64 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SA64 数据手册

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RATING AND CHARACTERISTIC CURVES  
SA5.0 THRU SA170A  
FIG.2-PULSE DERATING CURVE  
FIG.1- PEAK PULSE POWER RATING CURVE  
100  
100  
75  
50  
25  
0
NON-REPETITIVE  
PULSE WAVEFORM  
SHOWN in FIG.3  
TA=250C  
10  
1.0  
0.1  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
200  
0.1us  
1.0us  
10us  
100us  
1.000us 10.000us  
TA,AMBIENT TEMPERATURE.0C  
tp,PULSE WIDTH,sec.  
FIG.5-MAXIMUN NON-REPETITIVE FORWARD SURGE  
CURRENT UNIDIRECTIONAL ONLY  
FIG.3- PULSE WAVEFORM  
150  
200  
P U L S E W ID T H (td ) IS D E F IN E D  
sa th e P O IN T W H E R E th e P E A K  
C U R R E N T D E C AY S  
u se c.  
tr= 1 0  
Tj=Tj max.  
8.3ms Single Half Sine Wave  
JEDEC Method  
to 5 0 % o f IP P M  
100  
100  
50  
0
H A L F VA L U E - lP P M  
2
1 0 /1 0 0 0 se c. W AV E F O R M  
a s D E F IN E D b y R .E .A .  
10  
td  
0
1.0  
2.0  
3.0  
4.0  
1
10  
100  
t,TIME,ms  
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz  
FIG.5-STEADY STATE POWER DERATING CURVE  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
L = 0 .3 7 5 "(9 .5 m m )  
L E A D L E N G T H S  
1 .6  
x 1 .6 x .0 4 0 "  
(4 0 x 4 0 x 1 m m )  
C O P P E R H E AT S IN K S  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
200  
TL,LEAD TEMPERATURE.0C  

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