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S8667-1010

更新时间： 2024-01-29 12:11:50
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 传感器换能器
页数 文件大小 规格书
7页 169K
描述
CCD Sensor, 7-13V, Square, Through Hole Mount, WINDOWED, CERAMIC PACKAGE-28

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S8667-1010 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84其他特性：SENSITIVITY IS 2 MICRO V/ELECTRON
阵列类型：FULL FRAME TRANSFER主体宽度：40 mm
主体高度：4.1 mm主体长度或直径：40 mm
动态范围：64 dB外壳：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT输出范围：7-13V
输出类型：ANALOG VOLTAGE封装形状/形式：SQUARE
像素大小：18X18 µm传感器/换能器类型：IMAGE SENSOR,CCD
光谱响应 (nm)：200-1100表面贴装：NO
端接类型：SOLDERBase Number Matches：1

S8667-1010 数据手册

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CCD area image sensor S8667-1010  
ꢀ Absolute maximum ratings (Ta=25 °C)  
Parameter  
Symbol  
Topr  
Min.  
-
Typ.  
Max.  
+50  
+70  
+25  
+18  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
Unit  
°C  
°C  
V
Operating temperature  
Storage temperature  
OD voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tstg  
-
VOD  
-0.5  
-0.5  
-10  
-10  
-0.5  
-10  
-10  
-10  
-10  
RD voltage  
VRD  
V
TG voltage  
VTG  
V
SG, OG, RG voltage  
ISH voltage  
VSG, VOG, VRG  
VISH  
V
V
IGH voltage  
VIG1H, VIG2H  
VP1VI, VP2VI  
VP1VS, VP2VS  
VP1H, VP2H  
V
Vertical clock voltage (image area)  
Vertical clock voltage (storage area)  
Horizontal clock voltage  
V
V
V
Operating conditions (MPP mode, Ta=25 °C)  
Parameter  
ꢀ
Symbol  
VOD  
Min.  
12  
11.5  
1
Typ.  
15  
12  
3
Max.  
18  
12.5  
5
Unit  
V
Output transistor drain voltage  
Reset drain voltage  
VRD  
V
Output gate voltage  
VOG  
V
Substrate voltage  
VSS  
-
0
-
V
Test point (vertical input source)  
Test point (horizontal input source)  
Test point (vertical input gate)  
Test point (horizontal input gate)  
Vertical shift register  
VISV  
-
VRD  
VRD  
0
-
V
VISH  
-
-
V
VIG1V, VIG2V  
VIG1H, VIG2H  
VP1VIH, VP2VIH  
-8  
-8  
4
-
V
0
-
V
High  
Low  
High  
Low  
High  
Low  
High  
Low  
High  
Low  
High  
Low  
6
8
V
V
V
V
V
V
clock voltage (image area)  
V
P1VIL, VP2VIL  
-9  
4
-8  
6
-7  
8
VP1VSH, VP2VSH  
VP1VSL, VP2VSL  
VP1HH, VP2HH  
Vertical shift register  
clock voltage (storage area)  
-9  
4
-8  
6
-7  
8
Horizontal shift register  
clock voltage  
V
P1HL, VP2HL  
VSGH  
-9  
4
-8  
6
-7  
8
Summing gate voltage  
Reset gate voltage  
VSGL  
-9  
4
-8  
6
-7  
8
VRGH  
VRGL  
-9  
4
-8  
6
-7  
8
VTGH  
Transfer gate voltage  
VTGL  
-9  
-8  
-7  
Electrical characteristics (Ta=25 °C)  
Parameter  
ꢀ
Symbol  
fc  
Remark  
Min.  
Typ.  
-
Max.  
Unit  
MHz  
MHz  
Signal output frequency  
Reset clock frequency  
-
-
14  
14  
frg  
10  
CP1VI, CP2VI  
CP1VS, CP2VS  
CP1H, CP2H  
CSG  
Vertical shift register capacitance  
-
6,000  
-
pF  
Horizontal shift register capacitance  
Summing gate capacitance  
Reset gate capacitance  
-
-
-
-
-
120  
-
-
-
-
-
pF  
pF  
pF  
pF  
-
7
7
CRG  
Transfer gate capacitance  
Transfer efficiency  
CTG  
50  
1
*
CTE  
Vout  
Zo  
0.99995  
2
*
DC output level  
7
-
10  
13  
-
V
W
2
*
Output impedance  
Power dissipation  
500  
100  
*2, *3  
P
-
-
mW  
*1: Charge transfer efficiency per pixel, measured at half of the full well capacity.  
*2: VOD=15 V, Load resistance=2.2 kW  
*3: Power dissipation of the on-chip amplifier.  
2
1234567

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