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Datasheet > 传感器/换能器 > 图像传感器> S8658-01
S8658-01 PDF预览

S8658-01

更新时间： 2024-02-07 02:15:57
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 传感器换能器图像传感器
页数 文件大小 规格书
7页 150K
描述
Front-illuminated FFT-CCD for X-ray imaging

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S8658-01 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N其他特性：SENSITIVITY 0.6 MICRO VOLTS PER ELECTRON
阵列类型：FULL FRAME TRANSFER主体宽度：28 mm
主体高度：5.6 mm主体长度或直径：228 mm
数据速率：2 Mbps动态范围：86 dB
水平像素：1536外壳：CERAMIC
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度：40 °C
最低工作温度：输出范围：5-11V
输出类型：ANALOG VOLTAGE封装形状/形式：RECTANGULAR
像素大小：48X48 µm传感器/换能器类型：IMAGE SENSOR,CCD
子类别：CCD Image Sensors最大供电电压：18 V
最小供电电压：12 V表面贴装：NO
端接类型：SOLDER垂直像素：128
Base Number Matches：1

S8658-01 数据手册

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CCD area image sensor S8658-01  
■ Absolute maximum ratings (Ta=25 °C)  
Parameter  
Storage temperature  
Operating temperature  
OD voltage  
RD voltage  
ISV voltage  
IGV voltage  
IGH voltage  
SG voltage  
OG voltage  
RG voltage  
TG voltage  
Symbol  
Tstg  
Topr  
Min.  
-20  
0
Typ.  
Max.  
+70  
+40  
+20  
+18  
+18  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
Unit  
°C  
°C  
V
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
OD  
V
V
-0.5  
-0.5  
-0.5  
-15  
-15  
-15  
-15  
-15  
-15  
RD  
VISV  
IGV  
V
V
IGH  
VSG  
OG  
V
RG  
V
TG  
V
V
V
VP1AV, VP2AV  
P1BV P2BV  
Vertical clock voltage  
-15  
-15  
-
-
+15  
+15  
V
V
V
, V  
VP1AH, VP2AH  
P1BH P2BH  
Horizontal clock voltage  
V
, V  
■ Operating conditions (MPP mode, Ta=25 °C)  
Parameter  
Output transistor drain voltage  
Reset drain voltage  
Output gate voltage  
Output transistor ground voltage  
Substrate voltage  
Symbol  
Min.  
12  
12  
-0.5  
-
Typ.  
15  
13  
2
0
0
Max.  
Unit  
V
V
V
V
OD  
V
18  
14  
5
-
VRD  
OG  
V
SSA  
V
VSSD  
-5  
-
V
ISV  
IGV  
IGH  
RD  
Vertical input source  
Vertical input gate  
Horizontal input gate  
V
V
V
-
-8  
-8  
V
-
-
-
Test point  
0
0
V
V
VP1AVH, VP2AVH  
P1BVH P2BVH  
High  
0
-9  
0
3
6
-7  
6
V
, V  
Vertical shift register  
clock voltage  
VP1AVL, VP2AVL  
Low  
High  
Low  
-8  
3
P1BVL  
P2BVL  
P2AHH  
P2BHH  
P2AHL  
V
, V  
, V  
, V  
, V  
P1AHH  
V
V
V
P1BHH  
Horizontal shift register  
clock voltage  
V
P1AHL  
-9  
-8  
-7  
VP1BHL, VP2BHL  
SGH  
High  
Low  
High  
Low  
High  
Low  
V
V
0
-9  
0
-9  
0
3
-8  
3
-8  
3
6
-7  
6
-7  
6
Summing gate voltage  
Reset gate voltage  
V
V
V
SGL  
VRGH  
RGL  
V
TGH  
V
TGL  
V
Transfer gate voltage  
-9  
-8  
-7  
■ Electrical characteristics (Ta=25 °C)  
Parameter  
Signal output frequency  
Reset clock frequency  
Symbol  
fc  
frg  
Remark  
Min.  
-
-
Typ.  
2
2
Max.  
4
4
Unit  
MHz  
MHz  
P1AV  
P2AV  
, C  
C
P2AH  
, C  
C
C
C
Vertical shift register capacitance  
Horizontal shift register capacitance  
-
-
15000  
500  
-
-
pF  
pF  
P1BV, P2BV  
P1AH  
CP1BH, CP2BH  
SG  
Summing gate capacitance  
Reset gate capacitance  
Transfer gate capacitance  
Transfer efficiency  
DC output level  
Output impedance  
C
C
-
-
-
15  
10  
500  
0.99999  
8
-
-
-
-
11  
-
pF  
pF  
pF  
RG  
CTG  
CTE  
Vout  
Zo  
2
3
3
*
*
*
0.99995  
5
-
-
V
Ω
mW  
500  
60  
Power dissipation  
P
*3, *4  
-
*2: Measured at half of the full well capacity. CTE is defined per pixel.  
*3: VOD=15 V.  
*4: Power dissipation of the on-chip amplifier (each chip).  
2
1234567

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
S8658-01_11 HAMAMATSU CCD area image sensor Front-illuminated FFT-CCD for X-ray imaging

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