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Datasheet > 传感器/换能器 > 图像传感器> S7031-0907S
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S7031-0907S

更新时间： 2024-02-10 11:25:31
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 传感器换能器图像传感器
页数 文件大小 规格书
12页 237K
描述
Back-thinned FFT-CCD

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S7031-0907S 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：SENSITIVITY 2.2 MICRO V/ELECTRON
阵列类型：LINEAR主体宽度：22.9 mm
主体高度：7.7 mm主体长度或直径：50 mm
数据速率：1 Mbps动态范围：101.93 dB
水平像素：512外壳：CERAMIC
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT最大工作电流：100 mA
最高工作温度：30 °C最低工作温度：-50 °C
输出范围：14-18V输出类型：ANALOG VOLTAGE
封装形状/形式：RECTANGULAR像素大小：24X24 µm
传感器/换能器类型：IMAGE SENSOR,CCD光谱响应 (nm)：200-1100
最大供电电压：22 V最小供电电压：18 V
表面贴装：NO端接类型：SOLDER
垂直像素：122Base Number Matches：1

S7031-0907S 数据手册

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CCD area image sensors  
S7030/S7031 series  
Electrical characteristics (Ta=25 °C)  
Parameter  
Symbol  
fc  
Min.  
Typ.  
0.25  
750  
1500  
3000  
110  
180  
30  
Max.  
1
-
-
-
Unit  
MHz  
Signal output frequency  
-
-
-
-
S703 -0906  
S703 -0907/-1006  
S703 -1007  
S703 -0906/-0907  
*
*
*
*
Vertical shift register  
capacitance  
CP1V, CP2V  
pF  
Horizontal shift register  
capacitance  
CP1H, CP2H  
-
-
pF  
S703 -1006/-1007  
*
Summing gate capacitance  
Reset gate capacitance  
CSG  
CRG  
-
-
-
-
pF  
pF  
30  
S703 -0906/-0907  
55  
75  
0.99999  
16  
*
Transfer gate capacitance  
CTG  
-
-
pF  
S703 -1006/-1007  
*
Charge transfer ef¿ciency*3  
DC output level*4  
Output impedance*4  
Power consumption*4 *5  
CTE  
Vout  
Zo  
0.99995  
-
18  
4
-
V
k:  
mW  
14  
-
-
3
13  
P
14  
*3: Charge transfer ef¿ciency per pixel, measured at half of the full well capacity  
*4: The values depend on the load resistance. (Typical, VOD=20 V, Load resistance=22 k:)  
*5: Power consumption of the on-chip ampli¿er plus load resistance  
Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C, unless otherwise noted)  
Parameter  
Saturation output voltage  
Symbol  
Vsat  
Min.  
-
Typ.  
Fw × Sv  
Max.  
-
Unit  
V
Vertical  
240  
800  
1.8  
-
-
-
320  
1000  
2.2  
100  
10  
8
125000  
40000  
-
-
-
Full well capacity  
Fw  
Sv  
ke-  
Horizontal*6  
CCD node sensitivity  
Dark current*7  
(MPP mode)  
Readout noise*8  
—V/e-  
25 °C  
0 °C  
1000  
100  
16  
-
DS  
Nr  
e-/pixel/s  
e- rms  
Line binning  
Area scanning  
Photo response non-uniformity*10  
100000  
30000  
-
-
%
nm  
-
-
-
-
Dynamic range*9  
DR  
-
PRNU  
O
-
-
-
-
-
-
±3  
±10  
-
0
10  
3
0
Spectral response range  
200 to 1100  
White spots  
Black spots  
-
-
-
-
Point defect*11  
Blemish  
-
Cluster defect*12  
Column defect*13  
*6: The linearity is ±1.5%.  
*7: Dark current nearly doubles for every 5 to 7 °C increase in temperature.  
*8: Measured with a HAMAMATSU C4880 digital CCD camera with a CDS circuit (sensor temperature: -40 °C, operating frequency:  
150 kHz)  
*9: Dynamic range = Full well capacity / Readout noise  
*10: Measured at one-half of the saturation output (full well capacity) using LED light (peak emission wavelength: 560 nm)  
Fixed pattern noise (peak to peak)  
Photo response non-uniformity =  
× 100 [%]  
Signal  
*11: White spots  
-
Pixels whose dark current is higher than 1 ke after one-second integration at 0 °C.  
Black spots  
Pixels whose sensitivity is lower than one-half of the average pixel output. (measured with uniform light producing one-half of the  
saturation charge)  
*12: 2 to 9 contiguous defective pixels  
*13: 10 or more contiguous defective pixels  
3
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
S7031-0908 HAMAMATSU CCD Sensor, 512 Horiz pixels, 250 Vert pixels, 14-18V, Rectangular, Through Hole Mount, CE

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S7031-0908N HAMAMATSU Image Sensor,

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S7031-1006 HAMAMATSU CCD Sensor, 1024 Horiz pixels, 58 Vert pixels, 14-18V, Rectangular, Through Hole Mount, CE

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