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S5G-E3

更新时间： 2024-02-13 04:33:17

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威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	304K
描述
DIODE 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB, LEAD FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Rectifier Diode

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S5G-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AB
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.15 V	JEDEC-95代码：	DO-214AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向恢复时间：	2.5 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

S5G-E3 数据手册

S5A thru S5M

Vishay General Semiconductor

New Product

Surface Mount Glass Passivated Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

I_R

5.0 A

50 V to 1000 V

100 A

10 µA

V_F

1.15 V

T_jmax.

150 °C

DO-214AB (SMC)

Features

Mechanical Data

• Low profile package

Case: DO-214AB (SMC)

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

• High forward surge capability

Polarity: Color band denotes cathode end

• Meets MSL level 1, per J-STD-020C

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Typical Applications

For use in general purpose rectification of power sup-

plies, inverters, converters and freewheeling diodes

for consumer, automotive and Telecommunication

Maximum Ratings

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol S5A

S5B

S5D

S5G

S5J

S5K

S5M

Unit

Device marking code

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

400

600

800

1000

140

200

280

400

5.0

420

600

560

800

700

Maximum DC blocking voltage

100

1000

Maximum average forward rectified current at T_L= 75 °C

I_F(AV)

I_FSM

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

100

Operating junction and storage temperature range

T_J,T_STG

- 55 to + 150

°C

Document Number 88931

19-Sep-05

www.vishay.com

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与S5G-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S5G-E3/57T	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
S5G-E3/9AT	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
S5G-HE3	VISHAY	获取价格	DIODE 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB, LEAD FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Rect
S5GHE3/57T	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
S5G-HE3/57T	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, P
S5GHE3/9AT	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
S5G-HE3/9AT	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, P
S5GHE3_A/H	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
S5GHE3_A/I	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
S5GL	MCC	获取价格	5 Amp Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts

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