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S3GB PDF预览

S3GB

更新时间： 2024-10-03 11:14:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 150K
描述
3A、1200V表面贴装整流器

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S3GB 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：1.54
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：332768Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Diodes Moulded
Samacsys Footprint Name：DO-214AASamacsys Released Date：2016-06-13 07:35:31
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.15 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：1.5 µs
反向测试电压：400 V表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

S3GB 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
1
2
Rectifiers, Surface Mount,  
3ꢀA, 50 V-1000 V  
Cathode  
Anode  
MARKING  
DIAGRAM  
S3AB-S3MB  
ZYWW  
S3xB  
Features  
SMB  
CASE 403AF  
• Glass Passivated Chip Junction  
• High Surge Current Capacity  
• Low Forward Voltage: 1.15 V Maximum  
• UL Flammability 94V−0 Classification  
• MSL 1 per J−STD−020  
Polarity  
Mark  
Z
Y
WW  
S3xB  
= Assembly Plant Code  
= Year  
= Work Week  
= Specific Device Code  
x = A, B, D, G, J, K, M  
• RoHS Compliant / Green Molding Compound  
• NRV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
• These are Pb−Free and Halide Free Devices  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 3  
of this data sheet.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
Value  
S3AB S3BB S3DB S3GB S3JB S3KB S3MB  
Symbol  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
RMS Reverse Voltage  
Unit  
V
V
RRM  
V
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
3
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
R
DC Blocking Voltage  
100  
1000  
A
I
Average Forward Rectified Current  
A
F(AV)  
I
Peak Forward Surge Current: 8.3 ms Single  
Half Sine−Wave Superimposed on Rated Load  
80  
A
FSM  
T
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
−55 to 150  
−55 to 150  
°C  
°C  
J
T
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality  
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS Values are at T = 25°C unless otherwise noted. (Note 1)  
A
Symbol  
Parameter  
Typical Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Typical Thermal Characteristics, Junction−to−Lead  
Value  
148  
14  
Unit  
°C/W  
°C/W  
R
q
JA  
Y
JL  
1. Device mounted on FR−4 PCB, board size = 76.2 mm x 114.3 mm per JESD51−3.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
−
Typ  
−
Max  
1.15  
10  
Unit  
V
V
F
Instantaneous Forward Voltage (Note 2)  
I = 3 A  
F
I
R
Reverse Current at Rated V  
T = 25°C  
−
−
mA  
R
J
T = 125°C  
−
−
250  
−
J
t
Reverse Recovery Time  
Junction Capacitance  
I = 0.5 A, I = 1 A, I = 0.25 A  
F
−
1.5  
40  
ms  
rr  
R
rr  
C
V
R
= 4 V, f = 1 MHz  
−
−
pF  
J
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
2. Pulse test with PW = 300 ms, 1% duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2018  
1
Publication Order Number:  
June, 2023 − Rev. 4  
S3MB/D  
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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