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RYE002N05TL

更新时间： 2024-01-13 10:48:50

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	303K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EMT3, SC-75A, 3 PIN

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RYE002N05TL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75A	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	2.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RYE002N05TL 数据手册

0.9V Drive Nch MOSFET

RYE002N05

z Structure

z Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

EMT3

(SC-75A)

<SOT-416>

zFeatures

1) High speed switing.

2) Small package(EMT3).

3) Ultra low voltage drive(0.9V drive).

Abbreviated symbol : QJ

z Application

Switching

z Packaging specifications

z Inner circuit

(3)

Package

Taping

TCL

3000

{

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

RYE002N05

z Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

(1) Source

(2) Gate

(3) Drain

(1)

(2)

(1)

Limits

Unit

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-source voltage

±8

Continuous

Pulsed

±200

±800

125

°C

Drain current

I_DP

Continuous

Pulsed

I_S

Source current

(Body Diode)

I_SP

800

Power dissipation

P_D

150

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

*1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

−55 to +150

°C

*2 Each terminal mounted on a recommended land.

z Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^*

Limits

833

Unit

Channel to Ambient

°C / W

* Each terminal mounted on a recommended land.

www.rohm.com

2011.05 - Rev.B

1/5

12 3 4 5 6

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