5秒后页面跳转
RU4BWS PDF预览

RU4BWS

更新时间: 2024-02-22 14:45:38
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,

RU4BWS 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.6
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.4 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

RU4BWS 数据手册

  
Fast-Recovery Rectifier Diodes  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
trr  
(µs)  
IF  
trr  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
Tstg  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(H)  
Rth (j-  
)
(µs)  
(°C) (°C)  
(µA)  
VRM IF (AV)  
(V)  
(A)  
( ) is with  
Heatsink  
Fig.  
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
IF  
/
IRP  
IF  
/IRP  
max  
(°C/ W)  
(g)  
Ta  
=
100°C max  
(A)  
(mA)  
(mA)  
100  
200  
400  
RU 4Y  
RU 4Z  
RU 4  
2.0 (3.5)  
70  
50  
1.3 3.5  
300  
10  
50  
10/10  
10/20  
40 to +150 1.5  
0.4  
0.18  
8.0  
1.2  
A
600 1.5 (3.0)  
800  
RU 4A  
RU 4B  
RU 4C  
3.0  
1.6  
500  
100/200  
1000 1.5 (2.5)  
100/100  
RU 4Y, 4Z  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta IF(AV) Derating  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
3.5  
50  
10  
20• 20• 1t Cu  
3.0  
20ms  
5mm  
5mm  
1
0.1  
2.0  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
60ºC  
1.0  
0
0.01  
0.001  
25ºC  
0
1
0
0
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
0
25  
50 60 75  
100  
125 150  
5
10  
50  
50  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RU 4, 4A, 4B  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta IF(AV) Derating  
50  
40  
50  
10  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
20• 20• 1t Cu  
20ms  
5mm  
5mm  
1
0.1  
30  
20  
10  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
0.001  
25ºC  
0
1
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
0
25  
50 60 75  
100  
125 150  
5
10  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RU 4C  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta IF(AV) Derating  
50  
40  
2.5  
50  
10  
20• 20• 1t Cu  
20ms  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
5mm  
5mm  
1
0.1  
30  
20  
10  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
60ºC  
0.01  
0.001  
25ºC  
0
0
0
1
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
25  
50 60 75  
100  
125 150  
5
10  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
External Dimensions  
(Unit: mm)  
Fig.  
A
1.4±0.1  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
6.5±0.2  
36  

与RU4BWS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RU4BZ BL Galaxy Electrical

获取价格

HIGH EFFICIENCY ECTIFIERS
RU4C EIC

获取价格

Rectifier Diode,
RU4C SANKEN

获取价格

Fast-Recovery Rectifier Diodes
RU4C BL Galaxy Electrical

获取价格

HIGH EFFICIENCY ECTIFIERS
RU4C GULFSEMI

获取价格

GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE: 1050V CURRENT:3.0A
RU4C LGE

获取价格

High Efficiency Rectifiers
RU4CV SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,
RU4CV1 SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,
RU4CV3 SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,
RU4CV4 SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,