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RU4DSG

更新时间： 2024-09-30 06:08:55
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海湾 - GULFSEMI 二极管快速恢复二极管
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2页 74K
描述
GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIER VOLTAGE: 1500V CURRENT: 3.0A

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RU4DSG 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.16
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.6 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：1500 V最大反向电流：5 µA
最大反向恢复时间：0.12 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

RU4DSG 数据手册

 浏览型号RU4DSG的Datasheet PDF文件第2页 
RU4DSG  
GLASS PASSIVATED  
FAST RECOVERY RECTIFIER  
VOLTAGE: 1500V  
CURRENT: 3.0A  
DO - 201AD  
FEATURE  
Molded case feature for auto insertion  
High Switching Capability  
Low leakage current  
High surge capability  
High temperature soldering guaranteed  
250°C /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension  
Glass Passivated chip  
MECHANICAL DATA  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity: color band denotes cathode  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)  
SYMBOL  
Vrrm  
RU4DSG  
1500  
units  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrms  
1050  
V
Maximum DC blocking Voltage  
Vdc  
1500  
V
Maximum Average Forward Rectified Current 3/8"  
lead length at Ta =55°C  
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at rated  
forward current  
If(av)  
Ifsm  
Vf  
3.0  
125  
1.6  
30  
A
A
V
Maximum full load reverse current full cycle at TL  
=75°C  
Ir(av)  
µA  
5.0  
500.0  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =100°C  
Ir  
µA  
Typical Junction Capacitance  
(Note 1)  
(Note 2)  
Cj  
Trr  
50.0  
pF  
nS  
°C  
Maximum Reverse Recovery Time  
120  
Storage and Operation Junction Temperature  
Note:  
Tstg, Tj  
-55 to +150  
1. Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc  
2. Test Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
Rev.A1  
www.gulfsemi.com  
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