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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RT1E100MC110A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RT1E101ME110A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RT1E102MI200A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RT1E152MI250A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RT1E220MC110A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RT1E221MF115A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RT1E222ML250A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RT1E330MC110A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RT1E331MF160A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RT1E332ML300A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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