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RT1A3906-T122

更新时间： 2025-07-28 04:07:23
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描述
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type)

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RT1A3906-T122 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

RT1A3906-T122 数据手册

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〈SMALL-SIGNAL TRANSISTOR〉  
RT1A3906-T122  
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION  
SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type)  
DESCRIPTION  
OUTLINEDRAWING  
unit：ｍｍ  
RT1A3906 is a super mini package resin sealed  
silicon PNP epitaxial transistor,  
2.5  
1.5  
0.5  
0.5  
It is designed for low frequency voltage application.  
1
2
FEATURE  
●Excellent linearity of DC forward gain.  
●Super mini package for easy mounting  
●Small collector to emitter saturation voltage.  
VCE(sat)=-0.4Vmax（@IC=-50mA、IB=-5mA）  
3
APPLICATION  
For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage  
Terminal connection  
Amplify application.  
①：Base  
JEITA：SC-59  
②：Emitter  
③：Collector  
JEDEC ： TO-236resemble  
MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
Marking Figure  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
I C  
Parameter  
Ratings  
-60  
Unit  
V
Collector to Base voltage  
Collector to Emitter voltage  
Emitter to Base voltage  
Collector current  
-40  
V
-6  
V
２ Ｗ  
200  
mA  
mW  
℃
℃
Pc  
Collector dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
Tj  
＋150  
-55～＋150  
Abbreviation  
for Kind  
hFE Item  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Limits  
Min  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
Min  
-40  
-60  
-6  
Min  
C
C
E
t o  
t o  
t o  
s
E
B
B
b r e a k  
d o w n  
d o w n  
d o w n  
v o l t a g e  
v o l t a g e  
v o l t a g e  
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Ic=-1mA,RBE=∞  
V
V
b r e a k  
b r e a k  
V
V
Ic=-10μA,I  
E
=0  
I
V
V
V
E
=-10μA,I =0  
C
V
B
a
e
c
u
t
o
f
f
c u r r e n t  
I
BL  
CEX  
FE  
CE=-30V,VEB=-3V  
CE=-30V,VEB=-3V  
-50  
-50  
300  
-400  
-950  
－
nA  
nA  
C o l l e c t o r  
c u t  
o f f  
c u r r e n t  
I
D C  
C
f o r w a r  
d
c u r r e n t  
g a i n  
V o l t a g e  
V o l t a g e  
ｈ
CE=-1V,I  
C
=-10mA  
100  
－
t o  
t o  
E
E
S a t u r a t i o n  
S a t u r a t i o n  
V
CE (sat)  
BE (sat)  
Ic=-50mA,I  
Ic=-50mA,I  
B
=-5mA  
=-5mA  
mV  
mV  
B
V
B
－
G
a
i
n
b
a
n
d
w
i
d
t
h
p r o d u c t  
ｆ
T
V
V
CE=-20V, I  
C
=-10mA ,f=100MHz  
250  
－
MHz  
pF  
C o l l e c t o r o u t p u t c a p a c i t a n c e  
C
ob  
CB=-5V,I =0,f=1MHz  
E
5.0  
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION  
123

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