Datasheet > RSX051VA-30_11

RSX051VA-30_11

更新时间： 2022-11-12 01:07:15

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	993K
描述
Schottky barrier Diode

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RSX051VA-30_11 数据手册

Data Sheet

RSX051VA-30

1000

100

1000

1000000

100000

10000

1000

100

Ta=150℃

f=1MHz

Ta=150℃

Ta=125℃

Ta=75℃

100

Ta=75℃

Ta=25℃

Ta=-25℃

0.1

100

200

300

400

500

600

REVERSE VOLTAGE:VR(V)

VR-Ct CHARACTERISTICS

FORWARD VOLTAGE：VF(mV)

VF-IF CHARACTERISTICS

REVERSE VOLTAGE：VR(V)

VR-IR CHARACTERISTICS

380

370

360

350

340

330

300

250

200

150

100

200

190

180

170

160

150

140

130

120

110

100

Ta=25℃

IF=0.5A

n=30pcs

Ta=25℃

VR=30V

n=30pcs

Ta=25℃

f=1MHz

VR=0V

n=10pcs

AVE:36.59uA

AVE:159.7pF

AVE:354.8mV

VF DISPERSION MAP

IR DISPERSION MAP

Ct DISPERSION MAP

Ta=25℃

IF=0.5A

IR=1A

Irr=0.25*IR

n=10pcs

1cyc

Ifsm

8.3ms 8.3ms

1cyc

8.3ms

AVE:15.6A

AVE:10.4ns

100

NUMBER OF CYCLES

IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS

trr DISPERSION MAP

IFSM DISRESION MAP

Mounted on epoxy board

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

1000

100

IM=10mA

IF=0.2A

Ifsm

time

1ms

Rth(j-a)

Rth(j-c)

300us

D=1/2

Sin(θ＝180)

0.2

0.4 0.6

AVERAGE RECTIFIED

0.8

TIME:t(ms)

IFSM-t CHARACTERISTICS

100

0.001

0.1

1000

TIME:t(s)

Rth-t CHARACTERISTICS

FORWARD CURRENT：Io(A)

Io-Pf CHARACTERISTICS

www.rohm.com

2/3

2011.05 - Rev.C

123 4

下载PDF

与RSX051VA-30_11相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RSX051VA-30FHTR	ROHM	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM),	获取价格
RSX051VA-30TR	ROHM	暂无描述	获取价格
RSX051VAM30	ROHM	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, TUMD2M, 2 PIN	获取价格
RSX051VAM30TR	ROHM	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, TUMD2M, 2	获取价格
RSX051VYM30	ROHM	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, TUMD2M, 2 PIN	获取价格
RSX051VYM30FH	ROHM	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, TUMD2M, 2 PIN	获取价格