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RSX071VA-30_11

更新时间： 2022-11-12 01:07:07

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
4页	992K
描述
Schottky barrier Diode

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RSX071VA-30_11 数据手册

Data Sheet

Schottky barrier Diode

RSX071VA-30

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

General rectification.

1.1

0.17±0.1

ꢀꢀ 0.05

1.3±0.05

Features

1) Small mold type. (TUMD2)

2) Low V^F

3) High reliability.

TUMD2

Construction

Silicon epitaxial planar

Structure

0.8±0.05

0.6±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

ROHM : TUMD2

dot (year week factory) + day

Taping specifications(Unit : mm)

φ1.55±0.1

0.25±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

4.0±0.1

φ1.0±0.2

ꢀꢀꢀꢀꢀ0

1.43±0.05

0.9±0.08

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_R

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

700

I_FSM

150

°C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

0.39

Max.

0.42

200

Unit

Conditions

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

I_F=700mA

V_R=30V

μA

www.rohm.com

1/3

2011.05 - Rev.C

12 3 4

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