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RSB6.8SFHTE61

更新时间： 2024-01-14 17:40:50

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罗姆 - ROHM		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	902K
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Zener Diode,

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RSB6.8SFHTE61 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	7.82 V
最小击穿电压：	5.78 V	击穿电压标称值：	6.8 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散：	10 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.15 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	3.5 V
最大反向电流：	0.5 µA	反向测试电压：	3.5 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

RSB6.8SFHTE61 数据手册

Data Sheet

AEC-Q101 Qualified

ESD Protection diode

RSB6.8SFH

Applications

Dimensions(Unit : mm)

Land size figure(Unit : mm)

ESD Protection

0.8±0.05

0.12±0.05

0.8

Features

1) Ultra small mold type. (EMD2)

2) Bi direction high reliability.

3) Bi chip-mounter, automatic mounting

is possible.

EMD2

Construction

0.3±0.05

Silicon epitaxial planar

Structure

0.6±0.1

ROHM : EMD2

JEDEC :SOD-523

JEITA : SC-79

dot (year week factory)

Taping specifications(Unit : mm)

0.2±0.05

φ1.5±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.55±0.05

0.2

φ0.5

4.0±0.1

2.0±0.05

0.95±0.06

0.90±0.05

空ポケット

Empty pocket

0.76±0.05

0.75±0.05

Absolute maximum ratings(Ta=25°C)

Parameter

Peak Pulse Power (tp=10×1000s)

Power dissipation

Limits

Symbol

Ppk

Unit

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

Topor

°C

Operating temperature range

°C

Electrical characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

V_z

I_R

Zener voltage

5.78

7.82

0.5

I_Z=1mA

Reverse current

μA

V_R=3.5V

Capacitance between terminals

V_R=0V , f=1MHz

www.rohm.com

1/2

2011.03 - Rev.C

12 3 4 5

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与RSB6.8SFHTE61相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RSB6.8S-LF	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10W, 4.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
RSB6.8S-LF-T13	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10W, 4.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
RSB6.8S-LF-T7	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10W, 4.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
RSB6.8S-LF-T74	PROTEC	获取价格	LOW CAPACITANCE TVS ARRAY
RSB6.8SM	ROHM	获取价格	Bi direction ESD Protection Diode
RSB6.8SMFH	ROHM	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 15%, 0.15W, Silicon, Bidirectional, EMD2, SC-79, 2 PIN
RSB6.8SMT2N	ROHM	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Bidirectional,
RSB6.8S-T13	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10W, 4.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SC-79
RSB6.8S-T7	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10W, 4.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SC-79
RSB6.8S-T74	PROTEC	获取价格	LOW CAPACITANCE TVS ARRAY

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