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RPI-0125 PDF预览

RPI-0125

更新时间： 2024-02-07 04:29:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Photointerrupter, Ultraminiature SMD type

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RPI-0125 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ULTRA SMALL, SMD, 4 PIN
Reach Compliance Code：compliant风险等级：1.74
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V配置：SINGLE
最大暗电源：500 nA最大正向电流：0.05 A
间隙大小：1.2 mmJESD-609代码：e1
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT功能数量：1
最大通态电流：0.00495 A最大通态电压：30 V
标称通态集电极电流：0.45 mA最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH
输出电路类型：Transistor最长响应时间：0.00001 s
标称槽宽：1.2 mm表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)Base Number Matches：1

RPI-0125 数据手册

 浏览型号RPI-0125的Datasheet PDF文件第2页 
External dimensions (Unit : mm)  
RPI-0125  
Photointerrupter, Ultraminiature SMD type  
( 4 - 0 . 3 )  
( 4 - 0 . 3 5 )  
Recommended Pad Layout  
3 . 2  
0 . 8 5  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
IF  
Limits  
Unit  
mA  
V
Applications  
Forward current  
50  
DSC(Digital steal camera)  
DVC(Digital video camera)  
Digital handy phone  
Reverse voltage  
VR  
5
Power dissipation  
PD  
80  
30  
mW  
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-collector voltage  
Collector current  
1 . 6  
VCEO  
VECO  
IC  
1 . 0  
4.5  
V
Features  
30  
mA  
mW  
°C  
3 . 6 0 . 3  
Gap  
1 . 2 0 . 3  
Cross-section A-A  
1) Ultra-small.  
2) Gap 1.2mm.  
2 . 6  
0 . 3  
Collector power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
PC  
80  
Topr  
Tstg  
−25 to +85  
−30 to +85  
( 2 - 0 . 1 )  
°C  
C 0 . 2  
C 0 . 4  
A
Electrical and optical characteristics (Ta=25°C)  
Optical axis center  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
1.3  
−
Max.  
1.6  
10  
0.5  
−
Unit  
Conditions  
VF  
IR  
−
−
V
IF=50mA  
VR=5V  
Forward voltage  
µA  
µA  
nm  
mA  
V
Reverse current  
A
Dark current  
ICEO  
−
−
VCE=10V  
2 - R 0 . 3  
Peak sensitivity wavelength  
λP  
−
800  
−
Collector current  
IC  
VCE(sat)  
tr  
0.45  
−
−
−
4.95  
0.4  
−
VCE=5V, IF=20mA  
( 2 . 9 0 )  
( 1 . 2 8 )  
IF=20mA, IC=0.1mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Rise time  
Response time  
−
−
10  
10  
µs  
µs  
VCC=5V, IF=20mA, RL=100Ω  
−
Fall time  
tf  
IC  
fC  
Emitter  
Cathode  
A
0.45  
−
2.33  
mA  
VCE=5V, IF=20mA  
IF=50mA  
B
0.95  
−
−
1
4.95  
−
Notes:  
1. Unspecified tolerance  
shall be 0.2 .  
Cut-off frequency  
MHz  
nm  
∗ Non-coherent Infrared light emitting diode used.  
−
950  
−
λP  
Peak light emitting wavelength  
2. Dimension in parenthesis are  
show for reference.  
VCC=5V, IC=1mA, RL=100Ω  
Collector  
Anode  
tr tf  
µs  
Response time  
−
−
10  
−
−
∗ This product is not designed to be protected against electromagnetic wave.  
λP  
nm  
−
Maximum sensitivity wavelength  
800  
Electrical and optical characteristics curves  
100  
5
4
3
2
1
0
125  
1000  
50  
40  
30  
20  
−25°C  
0°C  
25°C  
50°C  
75°C  
50  
100  
100  
d
VCE=30V  
VCE=20V  
VCE=10V  
40  
RL=1kΩ  
75  
10  
1
RL=500Ω  
10  
30  
50  
20  
RL=100Ω  
25  
10  
0
10  
0.1  
1
0.05 0.1  
0
0
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8  
0
5
10  
15  
20  
25  
1
10  
−25  
0
25  
50  
75  
100  
−20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
DISTANCE : d (mm)  
FORWARD VOLTAGE : VF (V)  
FORWARD CURRENT : IF (mA)  
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
Fig.1 Relative output current vs.  
distance ( )  
Fig.3 Forward current vs. forward  
voltage  
Fig.7 Collector current vs.  
forward current  
Fig.8 Response time vs.  
collector current  
Fig.9 Dark current vs.  
ambient temperature  
Fig.2 Forward current falloff  
125  
7
6
Input  
VCC  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
100  
100  
75  
50  
25  
0
IF=30mA  
25mA  
80  
60  
40  
20  
5
4
PD PC  
Input  
Output  
20mA  
15mA  
90%  
10%  
RL  
3
Output  
td  
10mA  
5mA  
2
1
tr  
tf  
td : Delay time  
VCE=5V  
Rise time (time for output current to rise from  
10% to 90% of peak current)  
tr :  
IF=20mA  
0
0
−20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
−25  
0
25  
50  
75  
100  
0
2
4
6
8
10  
tf :  
Fall time (time for output current to fall from 90%  
to 10% of peak current)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
DISTANCE : d (mm)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE: VCE (V)  
Fig.4 Relative output current vs.  
distance (  
Fig.5 Power dissipation / collector power  
dissipation vs. ambient temperature  
Fig.6 Relative output vs. ambient  
temperature  
)
Fig.10 Output characteristics  
Fig.11 Response time measurement circuit  
12

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