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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> RN1973FS
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RN1973FS

更新时间： 2024-01-18 03:54:10
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
6页 125K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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RN1973FS 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.51其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.05 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RN1973FS 数据手册

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RN1972FS,RN1973FS  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)  
RN1972FS,RN1973FS  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and  
Driver Circuit Applications  
Unit: mm  
Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package  
1.0±0.05  
0.8±0.05  
0.1±0.05  
0.1±0.05  
•
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more  
compact equipment and lowers assembly cost.  
1
6
5
2
•
Complementary to RN2972FS, RN2973FS  
4
3
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
(E1)  
1.EMIITTER1  
2.EMITTER2  
3.BASE2  
4.COLLECTOR2  
5.BASE1  
(E2)  
(B2)  
(C2)  
(B1)  
(C1)  
6.COLLECTOR1  
fS6  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
(Q1, Q2 common)  
TOSHIBA  
2-1F1C  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
20  
20  
V
V
Weight: 0.001 g (typ.)  
CBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
CEO  
EBO  
V
5
V
Collector current  
I
50  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P (Note 1)  
50  
C
T
150  
−55~150  
j
T
stg  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Total rating  
Equivalent Circuit (top view)  
6
5
2
4
Q2  
Q1  
1
3
1
2007-11-01  
123456

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与RN1973FS相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
RN1973FS(TPL3) TOSHIBA Digital Transistors Polarity=NPNx2 47Kohms

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RN1973HFE TOSHIBA Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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RN1973HFE(TE85L) TOSHIBA RN1973HFE(TE85L)

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RN1A107M1012MSS SAMWHA Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum (wet), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1

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RN1A108M16025SS SAMWHA Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum (wet), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1

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