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RHRD640S9A PDF预览

RHRD640S9A

更新时间： 2024-02-02 00:28:05
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
6A, 400V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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RHRD640S9A 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
其他特性：FREEWHEELING DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.1 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：50 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向电流：100 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE

RHRD640S9A 数据手册

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RHRD640, RHRD650, RHRD660, RHRD640S,  
RHRD650S, RHRD660S  
April 1995  
File Number 3746.2  
6A, 400V - 600V Hyperfast Diodes  
Features  
• Hyperfast with Soft Recovery<30ns  
RHRD640, RHRD650, RHRD660, RHRD640S, RHRD650S  
and RHRD660S are hyperfast diodes with soft recovery charac-  
o
• Operating Temperature+175 C  
teristics (t  
< 30ns). They have half the recovery time of  
• Reverse Voltage Up To600V  
• Avalanche Energy Rated  
• Planar Construction  
RR  
ultrafast diodes and are sil icon nitride passivated ion-implanted  
epitaxial planar construction.  
These devices are intended for use as freewheeling/clamping  
diodes and rectifiers in a variety of switching power supplies and  
other power switching applications. Their low stored charge and  
hyperfast soft recovery minimize ringing and electrical noise in  
many power switching circuits reducing power loss in the switch-  
ing transistors.  
Applications  
• Switching Power Supplies  
• Power Switching Circuits  
• General Purpose  
Package  
Ordering Information  
JEDEC STYLE TO-251  
ANODE  
PACKAGE AVAILABILITY  
CATHODE  
PART NUMBER  
RHRD640  
PACKAGE  
TO-251  
BRAND  
RHR640  
RHR650  
RHR660  
RHR640  
RHR650  
RHR660  
CATHODE  
(FLANGE)  
RHRD650  
TO-251  
TO-251  
TO-252  
TO-252  
TO-252  
RHRD660  
RHRD640S  
RHRD650S  
RHRD660S  
JEDEC STYLE TO-252  
CATHODE  
(FLANGE)  
CATHODE  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A to obtain  
the TO-252 variant in tape and reel, e.g. RHRD660S9A.  
ANODE  
Formerly developmental type TA49057.  
Symbol  
K
A
o
Absolute Maximum Ratings  
T
= +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
RHRD640  
RHRD650  
RHRD660  
RHRD640S  
RHRD650S  
RHRD660S  
UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
400  
400  
400  
6
500  
500  
500  
6
600  
600  
600  
6
V
V
V
A
RRM  
Working Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
RWM  
DC Blocking Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V  
R
Average Rectified Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . I  
F(AV)  
o
(T = +152 C)  
C
Repetitive Peak Surge Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
(Square Wave, 20kHz)  
12  
60  
12  
60  
12  
60  
A
A
FSM  
FSM  
Nonrepetitive Peak Surge Current . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
(Halfwave, 1 Phase, 60Hz)  
Maximum Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P  
50  
10  
50  
10  
50  
10  
W
D
Avalanche Energy (See Figures 10 and 11). . . . . . . . . . E  
mj  
AVL  
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . .T  
, T  
-65 to +175  
-65 to +175  
-65 to +175  
C
STG  
J
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
1
1234

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