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RGP30B-AP

更新时间： 2024-02-15 15:13:32

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	343K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD

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RGP30B-AP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.15
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	5 µA
最大反向恢复时间：	0.15 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

RGP30B-AP 数据手册

M C C

RGP30A

THRU

RGP30M

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

3.0 Amp Glass

Passivated Junction

Fast Recovery

Rectifiers

Features

High temperature metallurgically bonded construction

Glass passivated cavity-free junction

3.0 amperes operation at T =55^OC and with no

thermal runaway. Typical IR less than 0.2uA

•

Fast switching for high efficiency

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

50 to 1000 Volts

Maximum Ratings

DO-201AD

Operating Temperature: -55^OC to +150^OC

Storage Temperature: -55^OC to +150^OC

Typical Thermal Resistance: 25^OC/W Junction toAmbient

Maximum

Recurrent

Maximum DC

Blocking

MCC

Maximum

Part Number

Peak Reverse

Voltage

RMS Voltage

Voltage

RGP30A

RGP30B

RGP30D

RGP30G

RGP30J

RGP30K

RGP30M

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

140V

280V

420V

560V

700V

Cathode

Mark

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Maximum Average

Forward Current

Peak Forward Surge

Current

I_F(AV)

3.0 A

T = 55^OC

I_FSM

125A

8.3ms, half sine

DIMENSIONS

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

INCHES

MIN

V_F

1.3V

= 3.0A;

DIM

MAX

.374

.208

.052

---

MAX

9.50

5.30

1.30

---

NOTE

.287

.189

.048

7.30

4.80

1.20

I_R

5.0uA

T =25^OC

1.000

25.40

100uA T =150^OC

Maximum Reverse

Recovery Time

RGP30A-30G

RGP30J

RGP30K-30M

Typical Junction

Capacitance

T =25^OC

Trr

C_J

150nS I =0.5A

250nS I_R=1.0A

500nS I_RR=0.25A

60pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: 4

2008/01/01

12 3 4

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与RGP30B-AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RGP30B-B	MCC	获取价格	Rectifier Diode
RGP30B-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD, 2 PIN
RGP30B-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectif
RGP30B-E3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R
RGP30BH	ZOWIE	获取价格	SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIER
RGP30B-HE3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectif
RGP30BHE3/54	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
RGP30B-HE3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R
RGP30BHE3/73	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
RGP30B-HE3/73	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R

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