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RGF1B-HE3

更新时间： 2024-01-03 20:42:30

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	339K
描述
DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode

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RGF1B-HE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214BA
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.17
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JEDEC-95代码：	DO-214BA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.15 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

RGF1B-HE3 数据手册

RGF1A thru RGF1M

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Glass Passivated Junction Fast

Switching Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

V_F

1.0 A

50 V to 1000 V

30 A

1.3 V

t_rr

150 ns, 250 ns, 500 ns

175 °C

T_jmax.

* Glass-plastic encapsulation

technique is covered by patent

No. 3,996,602, brazed-lead

DO-214BA (GF1)

assembly by Patent No. 3,930,306

and lead forming by Patent No. 5,151,846

Features

Mechanical Data

• Superectifier structure for high reliability

condition

Case: DO-214BA, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating

• Patented glass-plastic encapsulation technique

• Ideal for automated placement

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

• Fast switching for high efficiency

• Low leakage current

Polarity: Two bands indicate cathode end - 1st band

denotes device type and 2nd band denotes repetitive

peak reverse voltage rating

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Meets MSL level 1, per J-STD-020C

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Typical Applications

For use in fast switching rectification of power supply,

inverters, converters, and freewheeling diodes for

consumer, automotive and Telecommunication

Maximum Ratings

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Parameter

Device marking code

Symbol RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

400

600

800

1000

140

200

280

400

1.0

420

600

560

800

700

Maximum DC blocking voltage

100

1000

Maximum average forward rectified current

at T_L= 120 °C

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

I_FSM

Max. full load reverse current, full cycle average

I_R(AV)

µA

_A= 55 °C

Operating junction and storage temperature range T_J,T_STG

- 65 to + 175

°C

Document Number 88697

10-Aug-05

www.vishay.com

12 3 4

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与RGF1B-HE3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RGF1BHE3/17	VISHAY	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode	获取价格
RGF1BHE3/5CA	VISHAY	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si	获取价格
RGF1B-HE3/5CA	VISHAY	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si	获取价格
RGF1BHE3/67A	VISHAY	SWITING 100V 1A 2PIN DO-214BA - Tape and Reel	获取价格
RGF1B-HE3/67A	VISHAY	DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Si	获取价格
RGF1D	FCI	1.0 Amp MEGARECTIFIERS	获取价格

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