RFU10TF6SFH

更新时间： 2024-02-12 07:11:30

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罗姆 - ROHM		整流二极管局域网超快恢复二极管超快速恢复二极管
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4页	303K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220NFM, 3/2 PIN

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RFU10TF6SFH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PSFM-T2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.68	应用：	ULTRA SUPER FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.8 V	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.025 µs	反向测试电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RFU10TF6SFH 数据手册

Super Fast Recovery Diode

RFU10TF6S

Series

Dimentions(Unit : mm)

Structure

Ultra Fast Recovery

Applications

General rectification

(1)

(3)

Features

1)Single type.(TO-220)

2)Ultra High switching speed

Construction

(1)

(3)

Silicon epitaxial plnner

Absolute maximum ratings(Tc=25C)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Duty≦0.5

Limits

600

Unit

Symbol

V_RM

V_R

Direct voltage

60Hz half sin wave, Resistance load,

Average rectified forward current

Tc=50C

60Hz half sin wave, Non-repetitive

one cycle peak value, Tj=25C

I_FSM

Forward current surge peak

100

Junction temperature

Storage temperature

150

-55 to +150

Tstg

C

Electrical characteristics(Tj=25C)

Parameter

Conditions

I_F=10A

Typ.

2.3

0.03

Max.

2.8

Symbol

Min.

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

μA

V_R=600V

Reverse current

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

junction to case

3.5

Reverse recovery time

Thermal Resistance

trr

Rth(j-c)

C / W

www.rohm.com

2010.01 - Rev.A

1/3

12 3 4

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