是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.33 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A |
最大漏极电流 (ID): | 18 A | 最大漏源导通电阻: | 0.11 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN COPPER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ531-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |
|
2SJ532 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |
|
2SJ532 | HITACHI | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
获取价格 |
|
2SJ532-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |
|
2SJ533 | HITACHI | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
获取价格 |
|
2SJ533 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
获取价格 |