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RD58F0012LVYBB0

更新时间： 2024-02-27 23:40:11

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
58页	1219K
描述
Memory Circuit, Flash+SDRAM, 16MX16, CMOS, PBGA103, 9 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, SCSP-103

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RD58F0012LVYBB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA103,9X12,32
针数：	103	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.92
最长访问时间：	85 ns	其他特性：	LPSDRAM IS ORGANIZED AS 128MBIT; ALSO CONTAINS 2 256 MBIT FLASH; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION
JESD-30 代码：	R-PBGA-B103	JESD-609代码：	e0
长度：	11 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SDRAM	功能数量：	1
端子数量：	103	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA103,9X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

RD58F0012LVYBB0 数据手册

Contents

1.0 Introduction ...............................................................................................................................7

1.1

1.2

1.3

Nomenclature .......................................................................................................................7

Acronyms..............................................................................................................................8

Conventions..........................................................................................................................9

2.0 Functional Overview ............................................................................................................11

2.1

2.2

2.3

2.4

Product Description ............................................................................................................11

Unique Product Features....................................................................................................13

Product Configurations and Memory Partitioning ...............................................................13

Memory Map.......................................................................................................................15

3.0 Package Information............................................................................................................21

4.0 Ballout and Signal Descriptions......................................................................................23

4.1

4.2

Signal Ballout......................................................................................................................23

Signal Descriptions.............................................................................................................24

5.0 Maximum Ratings and Operating Conditions ...........................................................27

5.1

5.2

Absolute Maximum Ratings................................................................................................27

Operating Conditions..........................................................................................................28

6.0 Electrical Specifications.....................................................................................................29

6.1 DC Voltage and Current Characteristics.............................................................................29

7.0 AC Characteristics................................................................................................................31

7.1

7.2

7.3

7.4

7.5

Device AC Test Conditions.................................................................................................31

Capacitance........................................................................................................................31

Flash AC Read Operations.................................................................................................31

Flash AC Write Operations.................................................................................................32

LPSDRAM AC Characteristics............................................................................................32

8.0 Power and Reset Specifications .....................................................................................34

9.0 Operations Overview ...........................................................................................................34

9.1

Bus Operations...................................................................................................................34

Datasheet

1 234 5 6 7...58

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RD58F0016LVYTB0	INTEL	Memory Circuit, Flash+SDRAM, 16MX16, CMOS, PBGA103, 9 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, SCSP-103	获取价格
RD5CYD08	RENESAS	IGBT Driver / CMOS Logic Level Shifter	获取价格
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