是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | R-PDSO-G2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.5 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 100 Ω |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.15 W | 认证状态: | Not Qualified |
标称参考电压: | 39 V | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 5.13% | 工作测试电流: | 2 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD39UMB-T2 | NEC |
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Zener Diode, 39V V(Z), 5.13%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE | |
RD39V | YEASHIN |
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500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators | |
RD3CYD08 | RENESAS |
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IGBT Driver / CMOS Logic Level Shifter | |
RD3CYD08CME | RENESAS |
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IGBT DRIVER | |
RD3CYD08VSE | RENESAS |
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IGBT DRIVER | |
RD3CYD08WPE | RENESAS |
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IGBT DRIVER | |
RD3CYDT08 | RENESAS |
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IGBT Driver | |
RD3CYDT08CME | RENESAS |
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AND GATE BASED PRPHL DRVR, PDSO5, SC-88A, CMPAK-5 | |
RD3G01BAT | ROHM |
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RD3G01BAT是适用于开关应用低导通电阻的功率MOSFET。 | |
RD3G03BAT | ROHM |
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RD3G03BAT是适用于开关应用低导通电阻的功率MOSFET。 |