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RD3.3FB2

更新时间： 2024-09-25 14:44:27

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日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	64K
描述
Zener Diode, 3.39V V(Z), 3.5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41

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RD3.3FB2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DO-41, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	3.53%
工作测试电流：	40 mA	Base Number Matches：	1

RD3.3FB2 数据手册

DATA SHEET

ZENER DIODES

RD2.0F to RD82F

ZENER DIODES

1 W DO-41 GLASS SEALED PACKAGE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

NEC type RD F Series are DHD (Double Heatsink Diode)

Construction planar type zener diodes possessing an allowable

power dissipation of 1 watt.

(Unit: mm)

0.8

FEATURES

•

DHD (Double Heatsink Diode) Construction

Planar process

Cathode

indication

V^Z: Applied E24 standard

DO-41 Glass sealed package

3.0 MAX.

APPLICATIONS

Circuits for,

Constant Voltage, Constant Current,

Wave form clipper, Surge absorber, etc.

MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Power Dissipation (P)

1 W (See Fig. 1)

Forward Current (I^F)

200 mA

Junction Temperature (T^j)

Storage Temperature (T^stg)

Peak Reverse Power (P^RSM)

175°C

−65 to +175°C

See Fig. 9

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Document No. D13936EJ3V0DS00 (3rd edition)

(Previous No. SC-1007A)

Date Published June 2000 N CP(K)

Printed in Japan

1982

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