RD10M

更新时间： 2024-02-17 03:51:11

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日电电子 - NEC		二极管齐纳二极管
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8页	69K
描述
ZENER DIODES 200 mW 3-PIN MINI MOLD

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RD10M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.48
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	10 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5.8%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

RD10M 数据手册

DATA SHEET

ZENER DIODES

RD2.0M to RD47M

ZENER DIODES

200 mW 3-PIN MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

Type RD2.0M to RD47M Series are planar type zener diodes

processing an allowable power dissipation of 200 mW.

(Unit: mm)

2.8 ± 0.2

FEATURES

+0.1

–0.15

0.65

1.5

• Planar process

• VZ; Applied E24 standard.

APPLICATIONS

Circuits for,

Constant Voltage, Constant Current,

Waveform clipper, Surge absorber, etc.

Marking

MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Power Dissipation

200 mW

Forward Current

I^F

150 mA

Junction Temperature

Storage Temperature

Peak Reverse Power

150°C

T^stg

P^RSM

–55 to +150°C

100 W (t = 10 µs)

1 . NC

2 . Anode : A SC-59 (EIAJ)

3 . Cathode: K

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Document No. D14716EJ6V0DS00 (6th edition)

(Previous No. DC-2141)

Date Published June 2000 N CP(K)

Printed in Japan

1995

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与RD10M相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RD10MB	NEC	暂无描述	获取价格
RD10MB	RENESAS	10V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SC-59, 3 PIN	获取价格
RD10MB1	NEC	Zener Diode, 9.66V V(Z), 2.17%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC, SC-59, 3 PIN	获取价格
RD10MB1-A	NEC	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,9.66V V(Z),2%,SC-59	获取价格
RD10MB1-AT	NEC	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,9.66V V(Z),2%,SC-59	获取价格
RD10MB1-T2B	NEC	Zener Diode, 10V V(Z), 2.17%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN	获取价格