是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-8 |
包装说明: | O-MUPM-X1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.78 |
其他特性: | EXCELLENT RELIABILITY | 应用: | SOFT RECOVERY POWER |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.2 V | JEDEC-95代码: | DO-205AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-X1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 2000 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 125 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 最大反向电流: | 200 µA |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N3293A | MICROSEMI |
类似代替 |
Silicon Power Rectifier | |
S4360 | MICROSEMI |
类似代替 |
Silicon Power Rectifier |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
R42601 | ITF |
获取价格 |
SAW Resonator | |
R4260E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
R4260F | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
R4260FE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
R4260TS | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
R4280 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier | |
R4280E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
R4280F | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
R4280FE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 | |
R4280TS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |