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S4360

更新时间: 2024-02-15 00:02:37
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管软恢复能力电源软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 115K
描述
Silicon Power Rectifier

S4360 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-8
包装说明:O-MUPM-X1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.53
Is Samacsys:N应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJEDEC-95代码:DO-205AA
JESD-30 代码:O-MUPM-X1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:2500 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:150 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

S4360 数据手册

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S4360 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N3293A MICROSEMI

完全替代

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