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R36120E3

更新时间: 2023-01-02 20:42:07
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 126K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 PIN

R36120E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:METAL, DO-5, 1 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.73
其他特性:EXCELLENT RELIABILITY应用:POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJEDEC-95代码:DO-203AB
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:1200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:70 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向电流:50 µA最大反向恢复时间:5 µs
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

R36120E3 数据手册

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