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R220CH02FK0

更新时间: 2024-01-09 04:10:36
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 393K
描述
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),1.135KA I(T),TO-200AC

R220CH02FK0 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84标称电路换相断开时间:20 µs
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:300 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:1000 mA
最大漏电流:70 mA通态非重复峰值电流:9400 A
最大通态电流:1135000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C断态重复峰值电压:200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

R220CH02FK0 数据手册

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