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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 标称电路换相断开时间： | 65 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 100 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | JEDEC-95代码： | TO-200AC |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1381.6 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 70000 µA | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R200CH12F2G | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| R200CH12F2G0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.08KA I(T),TO-200 |
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| R200CH12F2G3 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 360V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R200CH12F2G4 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
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| R200CH12F2G5 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R200CH12F2G6 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R200CH12F2G7 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 840V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R200CH12F2G8 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 960V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R200CH12F2GO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1381.6 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
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| R200CH12F2H | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 1200 V, SCR |
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