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R0717LS16G

更新时间： 2024-01-26 14:53:01

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
12页	234K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1439A I(T)RMS, 1191000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, 101A336, 3 PIN

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R0717LS16G 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.82
标称电路换相断开时间：	35 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	300 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	1000 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X3	最大漏电流：	70 mA
通态非重复峰值电流：	7050 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	1191000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1439 A	断态重复峰值电压：	1600 V
重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

R0717LS16G 数据手册

WESTCODE ^{Positive development in power electronics}

R0717LS14x-16x

Characteristics

PARAMETER

MIN.

TYP. MAX. TEST CONDITIONS

UNITS

(Note 1)

V_TM

V₀

Maximum peak on-state voltage

Threshold voltage

2.8

1.752

0.732

I_TM=1400A

r_S

Slope resistance

Ω

dv/dt Critical rate of rise of off-state voltage

200

V_D=80% V_DRM, linear ramp

Rated V_DRM

V/ s

I_DRM

I_RRM

V_GT

I_GT

I_H

Peak off-state current

Peak reverse current

Gate trigger voltage

Rated V_RRM

3.0

T_j=25°C

V_D=10V, I_T=2A

Gate trigger current

300

Holding current

1000 T_j=25°C

t_gd

Gate-controlled turn-on delay time

Turn-on time

V_D=67% V_DRM, I_TM=1000A, di/dt=60A/µs,

µs

_FG=2A, t_r=0.5µs, T_case=25°C

t_gt

Q_rr

Q_ra

I_rm

Recovered charge

425

150

100

3.0

µC

Recovered charge, 50% Chord

Reverse recovery current

Reverse recovery time

200

_TM=1000A, t_p=1000µs, di/dt=60A/µs,

V_r=50V

t_rr

µs

_TM=1000A, t_p=1000µs, di/dt=60A/µs,

V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=20V/µs

I_TM=1000A, t_p=1000µs, di/dt=60A/µs,

V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=200V/µs

t_q

Turn-off time

µs

0.032 Double side cooled

K/W

R_th(j-hs)Thermal resistance, junction to heatsink

0.064 Single side cooled

Mounting force

Weight

W_t

340

Notes:-

1) Unless otherwise indicated T_j=125°C.

2) The required t_q(specified with dV_dr/dt=200V/µs) is represented by an ‘x’ in the device part number. See ordering information

for details of t_qcodes.

Data Sheet. Types R0717LS14x-16x Issue 2

Page 2 of 12

April, 2001

123 4 5 6 7...12

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与R0717LS16G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
R0717LS16J	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 1439A I(T)RMS, 1191000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1	获取价格
R072	CELDUC	REED RELAY / 2 CHANGE OVER MERCURY CONTACTS	获取价格
R072005	E-SWITCH	ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]	获取价格
R072006	E-SWITCH	ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]	获取价格
R072009	E-SWITCH	ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]	获取价格
R07-200-RNKG	ETC	＂REGULATOR G1/4＂＂＂	获取价格