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R0577YS10E

更新时间： 2024-01-16 14:16:43

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力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
12页	235K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1169A I(T)RMS, 712000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, 101A335, 3 PIN

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R0577YS10E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	101A335, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.69
标称电路换相断开时间：	25 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	1000 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X3	最大漏电流：	60 mA
通态非重复峰值电流：	6000 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	712000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1169 A	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

R0577YS10E 数据手册

WESTCODE ^{Positive development in power electronics}

R0577YS10x to R0577YS12x

10.0 On-State Energy per Pulse Characteristics

These curves enable rapid estimation of device dissipation to be obtained for conditions not covered by

the frequency ratings.

Let E_pbe the Energy per pulse for a given current and pulse width, in joules

Let R_th(J-Hs)be the steady-state d.c. thermal resistance (junction to sink)

and T_SINKbe the heat sink temperature.

Then the average dissipation will be:

−

(

)

W_AVE_Pf and T_{SINK (max.)}125 W_AVR_th

(

J −Hs

)

11.0 Reverse recovery ratings

(i) Q_rais based on 50% I_rmchord as shown in Fig. 1 below.

Fig. 1

(ii) Q_rris based on a 150 s integration time.

150µs

Q_rr= i_rr.dt

∫

i.e.

K Factor =

(iii)

12.0 Reverse Recovery Loss

12.1 Determination by Measurement

From waveforms of recovery current obtained from a high frequency shunt (see Note 1, Page 5) and

reverse voltage present during recovery, an instantaneous reverse recovery loss waveform must be

constructed. Let the area under this waveform be E joules per pulse. A new heat sink temperature can

then be evaluated from:

−

(

)

T_{SINK (new)}T_{SINK (original)}E k f R_th

(

J −Hs

)

where k = 0.227 (°C/W)/s

E = Area under reverse loss waveform per pulse in joules (W.s.)

f = rated frequency Hz at the original heat sink temperature.

R_th(J-Hs)= d.c. thermal resistance (°C/W).

Data Sheet. Types R0577YS10x to R0577YS12x Issue 1

Page 4 of 12

June, 2001

1 2 345 6 7...12

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与R0577YS10E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
R0577YS12D	LITTELFUSE	Silicon Controlled Rectifier, 1169A I(T)RMS, 712000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1	获取价格
R0577YS12E	LITTELFUSE	Silicon Controlled Rectifier, 1169A I(T)RMS, 712000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1	获取价格
R058	CELDUC	REED RELAY / DRY REED BISTABLE CONTACT	获取价格
R0580	CELDUC	REED RELAY / DRY REED BISTABLE CONTACT	获取价格
R0580B01	CELDUC	REED RELAY / DRY REED BISTABLE CONTACT	获取价格
R0581B01	CELDUC	REED RELAY / DRY REED BISTABLE CONTACT	获取价格