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R0577YS10E

更新时间： 2024-01-08 09:01:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 235K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1169A I(T)RMS, 712000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, 101A335, 3 PIN

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R0577YS10E 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：101A335, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.69
标称电路换相断开时间：25 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：1000 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X3最大漏电流：60 mA
通态非重复峰值电流：6000 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：712000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1169 A断态重复峰值电压：1000 V
重复峰值反向电压：1000 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

R0577YS10E 数据手册

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WESTCODE Positive development in power electronics  
R0577YS10x to R0577YS12x  
Characteristics  
PARAMETER  
MIN.  
TYP. MAX. TEST CONDITIOYS  
UNITS  
(Note 1)  
VTM  
V0  
Maximum peak on-state voltage  
Threshold voltage  
-
-
-
2.15 ITM=1000A  
V
V
-
1.51  
0.64  
rs  
Slope resistance  
-
-
Ω
m
dv/dt  
IDRM  
IRRM  
VGT  
IGT  
IH  
Critical rate of rise of off-state voltage  
Peak off-state current  
Peak reverse current  
Gate trigger voltage  
200  
-
-
VD=80% VDRM, linear ramp  
µ
V/ s  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60  
Rated VDRM  
Rated VRRM  
mA  
mA  
V
-
60  
-
3.0  
200  
Tj=25°C  
VD=10V, IT=2A  
Gate trigger current  
-
mA  
mA  
Holding current  
-
1000 Tj=25°C  
1.0  
tgt  
Gate-controlled turn-on delay time  
Turn-on time  
0.6  
1.2  
150  
85  
60  
2.5  
VD=67% VDRM, IT=1000A, di/dt=60A/µs,  
I
FG=2A, tr=0.5µs, Tj=25°C  
tgd  
2.0  
Qrr  
Qra  
Irr  
Recovered charge  
-
µC  
µC  
A
Recovered charge, 50% Chord  
Reverse recovery current  
Reverse recovery time  
100  
I
I
TM=550A, tp=500µs, di/dt=40A/µs, Vr=50V  
TM=550A, tp=500µs, di/dt=40A/µs, Vr=50V,  
-
-
trr  
µs  
-
-
-
23  
25  
Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/µs  
ITM=550A, tp=500µs, di/dt=40A/µs, Vr=50V,  
Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=200V/µs  
tq  
Turn-off time (note 2)  
µs  
20  
-
-
-
-
0.05 Double side cooled  
K/W  
K/W  
kN  
Rth(j-hs) Thermal resistance, junction to heatsink  
0.10 Single side cooled  
F
Mounting force  
Weight  
5.3  
-
-
10.0  
-
Wt  
90  
g
Notes:-  
1) Unless otherwise indicated Tj=125°C.  
2) The required tq (specified with dVdr/dt=200V/µs) is represented by an ‘x’ in the device part number. See ordering information  
for details of tq codes.  
Introduction  
The R0577 series of Distributed Gate Thyristors have fast switching characteristics provided by a  
regenerative, interdigitated gate. They also exhibit low switching losses. They are therefore suitable for  
medium frequency applications.  
Data Sheet. Types R0577YS10x to R0577YS12x Issue 1  
Page 2 of 12  
June, 2001  
1234567...12

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与R0577YS10E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
R0577YS12D LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 1169A I(T)RMS, 712000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1

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R0577YS12E LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 1169A I(T)RMS, 712000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1

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