是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP18,.3 | 针数: | 18 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22.355 mm |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 18 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1KX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP18,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | NMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
QP2114AL-2 | INTEL |
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RAM FAMIRLY EXPRESS | |
QP2114AL-3 | INTEL |
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RAM FAMIRLY EXPRESS | |
QP2114AL-4 | INTEL |
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RAM FAMIRLY EXPRESS | |
QP2148H | INTEL |
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Standard SRAM, 1KX4, 70ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 | |
QP2148H-3 | INTEL |
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Standard SRAM, 1KX4, 55ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 | |
QP2148HL-3 | INTEL |
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Standard SRAM, 1KX4, 55ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 | |
QP27256-2 | INTEL |
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OTP ROM, 32KX8, 200ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
QP2732A | INTEL |
获取价格 |
OTP ROM, 4KX8, 250ns, NMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 | |
QP2732A-2 | INTEL |
获取价格 |
OTP ROM, 4KX8, 200ns, NMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 | |
QP2732A-3 | INTEL |
获取价格 |
OTP ROM, 4KX8, 300ns, NMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 |