5秒后页面跳转
QP2114AL-1 PDF预览

QP2114AL-1

更新时间: 2024-01-06 06:22:38
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 230K
描述
RAM FAMIRLY EXPRESS

QP2114AL-1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP18,.3针数:18
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
Is Samacsys:N最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0长度:22.355 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:18
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

QP2114AL-1 数据手册

 浏览型号QP2114AL-1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QP2114AL-1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号QP2114AL-1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号QP2114AL-1的Datasheet PDF文件第5页 
www.DataSheet4U.com  

与QP2114AL-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
QP2114AL-2 INTEL

获取价格

RAM FAMIRLY EXPRESS
QP2114AL-3 INTEL

获取价格

RAM FAMIRLY EXPRESS
QP2114AL-4 INTEL

获取价格

RAM FAMIRLY EXPRESS
QP2148H INTEL

获取价格

Standard SRAM, 1KX4, 70ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
QP2148H-3 INTEL

获取价格

Standard SRAM, 1KX4, 55ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
QP2148HL-3 INTEL

获取价格

Standard SRAM, 1KX4, 55ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
QP27256-2 INTEL

获取价格

OTP ROM, 32KX8, 200ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
QP2732A INTEL

获取价格

OTP ROM, 4KX8, 250ns, NMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24
QP2732A-2 INTEL

获取价格

OTP ROM, 4KX8, 200ns, NMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24
QP2732A-3 INTEL

获取价格

OTP ROM, 4KX8, 300ns, NMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24