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QP2114A6

更新时间: 2024-09-30 19:54:59
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 231K
描述
Standard SRAM, 1KX4, 300ns, MOS, PDIP18

QP2114A6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:300 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:18字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

QP2114A6 数据手册

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