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QID1210006

更新时间： 2024-01-26 21:27:48

品牌	Logo	应用领域
POWEREX		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	905K
描述
Split Dual Si/SiC Hybrid IGBT Module 100 Amperes/1200 Volts

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QID1210006 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	外壳连接：	ISOLATED
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X20	元件数量：	2
端子数量：	20	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QID1210006 数据手册

Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane,Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com

QID1210006

Split Dual Si/SiC Hybrid IGBT Module

100 Amperes/1200 Volts

TRANSIENT THERMAL

REVERSE RECOVERY SWITCHING LOSS VS.

GATE RESISTANCE

IMPEDANCE CHARACTERISTICS

(IGBT & FWDi)

(TYPICAL)

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

= 600V

= 15V

I = 100A

T = 125°C

Inductive Load

C Snubber at Bus

10^-1

Single Pulse

= 25°C

Per Unit Base =

10¹

TBD

th(j-c)

10^-2

10^-3

0.217°C/W

(IGBT)

th(j-c)

0.368°C/W

(FWDi)

10⁰

10¹

10²

10^-5

10^-4

10^-3

GATE RESISTANCE, R , (Ω)

TIME, (s)

2/7/14 Rev. 3

1...4 5 67

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