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Q68000-A3428

更新时间： 2024-10-02 22:25:47

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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NPN Silicon AF Transistors

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Q68000-A3428 数据手册

NPN Silicon AF Transistors

SMBTA 05

SMBTA 06

● High breakdown voltage

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: SMBTA 55

SMBTA 56 (PNP)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

SMBTA 05

SMBTA 06

s1H

s1G

Q68000-A3430

Q68000-A3428

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

SMBTA 05

SMBTA 06

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

500

Peak collector current

Base current

100

200

330

150

Peak base current

Total power dissipation, T^S= 79 ˚C

Junction temperature

Storage temperature range

Ptot

˚C

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 285

≤ 215

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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