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Q62703-Q2553

更新时间： 2024-10-01 23:10:59

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描述
Super SIDELED High-Current LED

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Q62703-Q2553 数据手册

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)

GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

SFH 485 P

Area not flat

5.0

4.2

Cathode

0.6

0.4

3.85

3.35

5.9

5.5

1.8

1.2

0.6

0.4

1.0

0.5

Chip position

GEX06306

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt

im Schmelzepitaxieverfahren

● Enge Toleranz: Chipoberfläche/

Bauteiloberkante

● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in

a liquid phase epitaxy process

● Small tolerance: Chip surface to case

surface

● Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

● Good spectral match to silicon

photodetectors

● Sehr plane Oberfläche

● Plane surface

● Gehäusegleich mit SFH 217

● Same package as SFH 217

Anwendungen

Applications

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz

● LWL

● Light-reflection switches for steady and

varying intensity (max. 500 kHz)

● Fibre optic transmission

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

SFH 485 P

Q62703-Q516

5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-

Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster ( /10’’),

Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß

5 mm LED package (T 1 /4), plane violet-colored

transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing

2.54 mm ( /10’’), anode marking: short lead.

Semiconductor Group

1998-06-26

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